E+H電極CPS11D-7BA21蘇州代理*處理

適用于過(guò)程技術(shù)和環(huán)境領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用，帶抗
污型PTFE 隔膜，內(nèi)置溫度傳感器(模擬式電極可
選)
應(yīng)用
• 穩(wěn)定過(guò)程條件下的長(zhǎng)期監(jiān)控和限定值監(jiān)測(cè)
– 化工行業(yè)(強(qiáng)酸/強(qiáng)堿應(yīng)用)、塑料化工行業(yè)、紙漿和造紙行業(yè)
– 電廠(例如：脫硫裝置)、油氣
– 焚化廠
• 水/污水處理
– 鍋爐給水和冷卻水
– 井水和飲用水
– 所有工業(yè)和市政水處理廠
通過(guò)ATEX、IECEx、FM、CSA、TIIS 和NEPSI 認(rèn)證，可在危險(xiǎn)區(qū)中使用
E+H電極優(yōu)勢(shì)
• 采用大環(huán)狀PTFE 隔膜，低維護(hù)量，堅(jiān)固耐用
• 高工作壓力為17 bar abs. (246 psi)
• 過(guò)程玻璃可用于強(qiáng)堿應(yīng)用場(chǎng)合(BA 和BT 型電極)
• 過(guò)程玻璃可用于含介質(zhì)的測(cè)量(FA 型電極)
• 可用于低電導(dǎo)率介質(zhì)的測(cè)量(AS 型電極)
• 內(nèi)置NTC30K 溫度傳感器(Memosens)，進(jìn)行有效溫度補(bǔ)償；Pt100 或Pt1000 適
用于模擬式電極
• 可選：抗毒性參比離子捕捉肼
Memosens 技術(shù)優(yōu)勢(shì)
• 確保高過(guò)程安全
• 數(shù)字式數(shù)據(jù)傳輸確保數(shù)據(jù)安全
• 儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魈卣鲄?shù)，操作簡(jiǎn)便
• 傳感器中記錄傳感器負(fù)荷參數(shù)，可以通過(guò)Memobase Plus CYZ71D 實(shí)現(xiàn)預(yù)維護(hù)

E+H電極測(cè)量原理
pH 測(cè)量
pH 值是液體介質(zhì)酸度和堿度測(cè)量單位。電極玻璃膜上生成電化學(xué)電位，電位值取決于介質(zhì)的pH
值。氫離子(H+)選擇性滲透通過(guò)外層膜， 產(chǎn)生電化學(xué)電位，即電化學(xué)分界層的電位。內(nèi)置Ag/
AgCl 參比系統(tǒng)用作參比電極。
變送器基于能斯特方程(NERNST)將測(cè)量電壓轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的pH 值。

E+H電極測(cè)量系統(tǒng)
完整的測(cè)量系統(tǒng)包括：
• pH 電極CPS11D 或CPS11
• 變送器，例如：Liquiline CM42、CM44x、Mycom S CPM153、Liquisys M CPM2x3
• Memosens 數(shù)據(jù)電纜CYK10 (Memosens 電極)或CPK9 (模擬式電極)
• 浸入式安裝支架、流通式安裝支架或可伸縮式安裝支架，例如：Cleanfit CPA871

CPS11D 的通信和數(shù)據(jù)處理
與變送器通信
始終將Memosens 數(shù)字式傳感器連接至Memosens 變送器。模擬式傳感器無(wú)法與變送器進(jìn)行數(shù)據(jù)
傳輸。
數(shù)字式電極中可以?xún)?chǔ)存測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)。包括：
• 制造參數(shù)
– 序列號(hào)
– 訂貨號(hào)
– 生產(chǎn)日期
• 標(biāo)定參數(shù)
– 標(biāo)定日期
– 25 °C (77 °F)時(shí)的斜率
– 25 °C (77 °F)時(shí)的零點(diǎn)
– 溫度偏置量
– 標(biāo)定次數(shù)
– 近一次標(biāo)定使用的變送器的序列號(hào)
• 應(yīng)用參數(shù)
– 溫度應(yīng)用范圍
– pH 應(yīng)用范圍
– *調(diào)試日期
– 高溫度值
– 條件下的工作小時(shí)數(shù)
– 消毒次數(shù)
– 玻璃膜阻抗
上述參數(shù)可以通過(guò)Liquiline

操作簡(jiǎn)便
Memosens 傳感器內(nèi)置電子部件，用于儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)和其他信息(例如：總工作小時(shí)數(shù)和工況
條件下的工作小時(shí)數(shù))。正確連接傳感器后，傳感器參數(shù)自動(dòng)傳輸至變送器中，用于計(jì)算當(dāng)前測(cè)量
值。電極中儲(chǔ)存標(biāo)定參數(shù)，可以在測(cè)量點(diǎn)之外進(jìn)行傳感器標(biāo)定和調(diào)節(jié)。優(yōu)點(diǎn)如下：
• 在優(yōu)化外部條件的測(cè)量實(shí)驗(yàn)室中簡(jiǎn)單標(biāo)定，提升標(biāo)定質(zhì)量。
• 可以快速、簡(jiǎn)便地更換預(yù)標(biāo)定傳感器，極大地提升測(cè)量點(diǎn)的適用性。
• 基于所有儲(chǔ)存的傳感器負(fù)荷參數(shù)和標(biāo)定參數(shù)可以確定維護(hù)時(shí)間間隔。
• 傳感器歷史可以?xún)?chǔ)存在外部數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元和計(jì)算程序中，例如：Memobase Plus CYZ71D。因
此，可以基于先前歷史確認(rèn)傳感器的當(dāng)前應(yīng)用。

CLS21-C2A3A  CLS21-L2A3A  CLS21-C3B3A  CLS21-L3B3A  CLS21-C1E4A  CLS21-L1E4A  CLS21-C1N4A
CLS21-L1N4A  CLS21-C2A4A  CLS21-L2A4A  CLS21-C3B4A  CLS21-L3B4A  CLS21-C1E2D  CLS21-L1E2D
CLS21-C1N2D  CLS21-L1N2D  CLS21-C2A2D  CLS21-L2A2D  CLS21-C3B2D  CLS21-L3B2D  CLS21-C1E3D
CLS21-L1E3D  CLS21-C1N3D  CLS21-L1N3D  CLS21-C2A3D  CLS21-L2A3D  CLS21-C3B3D  CLS21-L3B3D
CLS21-C1E4D  CLS21-L1E4D  CLS21-C1N4D  CLS21-L1N4D  CLS21-C2A4D  CLS21-L2A4D  CLS21-C3B4D
CLS16-3C1A1P  CLS16-3D1A1P  CLS16-3E1A1P  CLS16-3G1A1R  CLS21-L3B4D  CLS50-A1A1 

CLS50-G1A1
CLS16-4G1A1R  CLS16-4C1A1R  CLS16-3G2A1U  CLS16-4G2A1U  CLS50-AAA1  CLS50-CAA1 

CLS50-GAA1
CLS16-4F1A1S  CLS16-3C2A1S  CLS16-3D2A1S  CLS16-3E2A1U  CLS50-HAA1  CLS50-TAA1

  CLS50-C1A1
CLS16-4C2A1P  CLS16-4F2A1P  CLS16-3C3A1P  CLS16-3D3A1R  CLS50-H1A1  CLS50-T1A1  CLS50-A2A1
CLS16-3E3A1R  CLS16-3G3A1R  CLS16-4G3A1S  CLS16-4C3A1S  CLS50-C2A1  CLS50-G2A1 

CLS50-H2A1
CLS16-4F3A1S  CLS16-3C1B1U  CLS16-3D1B1U  CLS16-3E1B1U  CLS50-G3A1  CLS50-H3A1  CLS50-T3A1
CLS16-3G1B1P  CLS16-4G1B1P  CLS16-4C1B1P  CLS16-4F1B1R  CLS50-HAB2  CLS50-TAB2 

CLS50-A1B2
CLS16-3C2B1R  CLS16-3D2B1R  CLS16-3E2B1S  CLS16-3G2B1S  CLS50-AAB2  CLS50-CAB2 

CLS50-GAB2
CLS16-4G2B1S  CLS16-4C2B1U  CLS16-4F2B1U  CLS16-3C3B1U  CLS50-T2A1  CLS50-A3A1  CLS50-C3A1

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